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title: NAND
slug: nand
date: '2026-08-17'
updated: '2026-08-17'
summary: NAND Flash，非易失性闪存存储介质，是SSD和存储设备的核心存储介质。
category: 芯片器件
tags:
  - 存储
  - 闪存
  - 介质
  - 芯片器件
  - term
aliases:
  - NAND Flash
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batch: 2
faq: []
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# NAND

NAND Flash，非易失性闪存存储介质，是SSD和存储设备的核心存储介质。

## 核心类型

### SLC（Single-Level Cell）
- 每单元1bit
- 性能最高，耐久度最高（10万次擦写）
- 成本最高
- 适用：工业级/写入密集场景

### MLC（Multi-Level Cell）
- 每单元2bit
- 性能/成本/耐久度平衡
- 逐渐被TLC取代
- 适用：入门企业级

### TLC（Triple-Level Cell）
- 每单元3bit
- 成本大幅降低，耐久度较低（3000次擦写）
- 目前主流消费级
- 适用：一般存储

### QLC（Quad-Level Cell）
- 每单元4bit
- 容量最大，成本最低
- 耐久度较低（1000次擦写）
- 适用：大容量存储场景

### PLC（Pent-Level Cell）
- 每单元5bit
- 正在发展中
- 容量进一步提升

## 关键参数

| 参数 | 说明 |
|------|------|
| 层数（Layer） | 3D NAND层数（64L/128L/176L/232L+）|
| Interface | SATA/PCIe（NVMe）|
| 裸容量 | 单Die容量（256Gb/512Gb/1Tb）|

## 3D NAND演进

```
技术路线
  ├── 64层/96层：早期3D
  ├── 128层/176层：当前主流
  ├── 232层+：最新量产
  └── 500层+：规划中（CFI）
```

## 在SSD中的位置

```
eSSD/PCIe SSD/SATA SSD
  └── NAND Flash（存储介质）
        ├── NAND Die × N
        ├── [主控芯片](/wiki/controller-chip/)（控制和数据读写）
        ├── DRAM/DRAMless（缓存）
        └── FW（固件）
```

## 关键厂商

- 三星（Samsung）：V-NAND
- 西部数据（WD）：BiCS
- SK海力士（SK Hynix）：V4 4D NAND
- 美光（Micron）：NAND
- 铠侠（Kioxia）：BICS
- Solidigm（Solidigm）：144L QLC

## 关联实体

- [eSSD](/wiki/essd/) —— 企业级SSD
- [SATA SSD](/wiki/sata-ssd/) —— SATA SSD
- [PCIe SSD](/wiki/pcie-ssd/) —— NVMe SSD
- [主控芯片](/wiki/controller-chip/) —— SSD控制芯片
- [SPU芯片](/wiki/spu-chip/) —— 存储处理器芯片