非共识洞察

LPDDR4

封装技术2 分钟阅读

别名:L、P、D、R、4、 、S、A、M、,、o、w、e、r、LPDDR4

低功耗双倍数据率第四代,DRAM的低功耗分支规格,面向移动端与功耗敏感场景。

LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)

低功耗双倍数据率第四代,DRAM的低功耗分支规格,面向移动端与功耗敏感场景。

技术规格

参数 DDR4 LPDDR4
电压 1.2V 1.1V
总线宽度 64-bit 16/32-bit
通道架构 多分支 点对点(PoD)
单粒密度 16Gb 4-32Gb
传输速率 2133-3200 MT/s 3200-4266 MT/s
形态 RDIMM插槽 板载PoP/PoD
量产 2014年 2015年

与DDR4的关键差异

  • 低电压:核心1.1V,比DDR4低~8%
  • 窄总线 + PoD:每通道点对点连接,降低功耗
  • 不可插拔:与RDIMM不同,LPDDR4直接焊接在主板
  • 多Bank Group:优化并发访问带宽

在AI产业中的应用

LPDDR4 不用于数据中心AI服务器(服务器走DDR4/DDR5 + RDIMM路线),主要用于AI推理终端

[AI推理终端](/wiki/edge-ai-device/)
  ├── 智能手机SoC(高通/联发科/苹果)
  ├── 平板电脑
  ├── 边缘AI推理盒
  └── 车载ADAS/信息娱乐

核心关系

[DRAM](/wiki/dram/)
  └── DDR
        ├── [DDR4](/wiki/ddr4/)(服务器/数据中心)
        │     └── [RDIMM](/wiki/rdimm/) → [AI服务器](/wiki/ai-server/)
        └── LPDDR(移动/低功耗)
              └── [LPDDR4](/wiki/lpddr4/)
                    └── [AI推理终端](/wiki/edge-ai-device/)

关键厂商

  • 三星(LPDDR4主力)
  • SK海力士
  • 美光

(与DRAM三大厂商一致)

DDR4

DDR第四代标准,DRAM的一种具体规格。

封装技术别名:D、R

FC-BGA

将芯片**倒置**(Flip)后通过**焊球**(Solder Ball)阵列与封装基板互连的高性能封装形式,是AI芯片、服务器CPU、GPU的主流封装方案。

封装技术别名:F、l