DRAM
别名：D、y、n、a、m、i、c、 、R、d、o、A、e、s、M、r、Dynamic RAM、动态随机存取存储器
**D**ynamic **R**andom **A**ccess **M**emory，动态随机存取存储器。
DRAM（Dynamic Random Access Memory）
Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器。
分类
DRAM
├── SRAM（静态RAM，CPU缓存用）
└── DDR（双倍数据率）
├── DDR4
├── DDR5
└── LPDDR（移动端）
技术原理
| 特性 | 说明 |
|---|---|
| 结构 | 1T1C（一个晶体管+一个电容） |
| 刷新 | 需周期性刷新（动态） |
| 速度 | 比SRAM慢，但成本低、密度高 |
| 用途 | 系统内存（DDR4/DDR5）、HBM（3D堆叠DRAM） |
在AI数据中心的应用
全球市场格局
| 厂商 | 份额（2024） | 强项 |
|---|---|---|
| 三星 | ~40% | 全产品线，DDR5 抢先 |
| SK 海力士 | ~30% | HBM / HBM3e 领先 |
| 美光 | ~25% | DDR5 / HBM 后发追赶 |
| 南亚 / 华邦 | < 5% | 利基市场 |
中国大陆：长鑫存储（CXMT）已量产 DDR4 / DDR5，逐步进入主流供应链。
AI 服务器内存需求估算
单台 AI 服务器（8 卡 H100）：
- GPU 侧：8 × 80 GB HBM3 = 640 GB（用 HBM 不算 DRAM 出货）
- CPU 侧：1–2 TB DDR5（按 16 通道 × 128 GB RDIMM 估算）
每代 AI 服务器的 DRAM 含量是通用服务器的 5–10 倍。
关键公司
- 三星（全球DRAM龙头）
- SK海力士（HBM领先者）
- 美光
核心关系
DRAM
├── 系统内存 → [DDR4](/wiki/ddr4/)/DDR5 → [AI服务器](/wiki/ai-server/)CPU
└── 3D封装 → [HBM](/wiki/hbm/) → GPU/AI芯片
关键问答
- DRAM 与「── 系统内存」的关系是什么？
- ── 系统内存 → [DDR4](/wiki/ddr4/)/DDR5 → [AI服务器](/wiki/ai-server/)CPU。
- DRAM 与「── 3D封装」的关系是什么？
- ── 3D封装 → [HBM](/wiki/hbm/) → GPU/AI芯片。
相关词条
3D DRAM
区别于HBM的"芯片堆叠+TSV+硅中介层"封装式3D，**3D DRAM**指**单元层级的立体堆叠**——将DRAM存储单元（1T1C）在单芯片内沿垂直方向多层堆叠，以突破传统DRAM的微缩极限。
存储芯片
AI数据中心"算力-带宽-存储"三角中的存储侧，覆盖**介质、内存、控制、模组、缓存**五大类的全栈芯片体系，是AI服务器性能与成本的关键瓶颈之一。
交换芯片
数据中心交换机的核心芯片，决定交换机的性能、功耗和功能。
趋肤效应
高频交流电/高速信号在导体中**集中于表面薄层**流动的物理现象，是覆铜板与铜箔在AI高速时代升级到HVLP的**根本驱动力**，也是112G/224G/448G SerDesPCB材料选型的核心物理基础。
主控芯片
SSD主控芯片（Controller），负责SSD内部的数据读写管理、磨损均衡、纠错等核心功能。 别名：**存储主控芯片**（存储芯片体系下的标准命名）。
AI推理终端
部署在边缘侧进行AI推理的设备，区别于云端AI数据中心。
eMMC
**eMMC** 嵌入式多媒体卡，将**NAND Flash 介质 + 主控芯片（控制器）集成在一个 BGA 封装**内的标准化嵌入式存储模块，对 Host 侧呈现"类 SD 卡"接口，**省去 Host 侧 FTL 管理**，主要用于移动设备 / 嵌入式系统 / 入门边缘 AI 的中低成本中等容量存储。
eSSD
企业级SSD（Enterprise SSD），专为数据中心和服务器场景设计的高性能存储设备。