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环氧树脂

原材料7 分钟阅读

别名:环、氧、树、脂、,、 、E、p、o、x、y、R、e、s、i、n、P、双、酚、A、型、环氧树脂

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)使用**最广泛、最经济**的热固性树脂体系,是FR-4与绝大多数PCB基材的树脂基础。占全球CCL树脂用量80%+。

环氧树脂(Epoxy Resin)

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)使用最广泛、最经济的热固性树脂体系,是FR-4与绝大多数PCB基材的树脂基础。占全球CCL树脂用量80%+。

化学基础

双酚A型环氧(DGEBA,最主流):

      O
      ‖
  CH₂—CH—CH₂—O—⌬—C(CH₃)₂—⌬—O—CH₂—CH—CH₂
                                  ‖
                                  O

  ├─ 缩水甘油醚端基(反应位点)─┤   ├─ 双酚A骨架─┤
       与固化剂反应→交联→热固性网络

核心优势

  • 缩水甘油醚端基活性高 → 与胺类/酸酐/酚醛固化剂反应快
  • 双酚A骨架提供刚性与耐热
  • 附着力极强(对铜箔、玻纤布)
  • 阻燃性可调(配合溴化/磷系阻燃剂可达UL94 V-0)
  • 成本最低(CCL树脂中价格基准)

关键子类(CCL行业按固化剂分类)

子类 固化剂 Tg Df(1GHz) 主要应用
标准环氧 DICY(双氰胺) 130-140°C 0.020-0.025 标准FR-4、消费电子
高Tg环氧 酚醛(Novolac) 150-170°C 0.015-0.020 无铅焊接FR-4
很高Tg环氧 联苯型/萘型酚醛 170-185°C 0.012-0.018 AI服务器主板
多官能团环氧 高官能度酚醛 180-200°C 0.010-0.015 高速板、军工
溴化环氧 + 溴系阻燃剂 取决于主体 取决于主体 阻燃FR-4(主流)
无卤环氧 磷/氮系阻燃 130-170°C 0.015-0.025 欧盟出口、汽车
BMI改性环氧 双马来酰亚胺 180-220°C 0.010-0.015 高Tg高速板
MPI型环氧 改性PI结构 180-220°C 0.005-0.010 高速CCL(与MPI重叠)

在CCL中的位置

CCL 树脂体系用量分布(粗略估计):

  环氧树脂(FR-4系) ─────── 80%+  ← 本词条
  [PPO](/wiki/ppo/)/PPE ──────────── 5-8%
  [MPI](/wiki/mpi/) / 改性PI ─────── 2-4%
  BT树脂 ──────────────── 2-3%([封装基板](/wiki/package-substrate/))
  PTFE ──────────────── 1-2%(毫米波)
  PI(纯) ────────────── <1%(军工/航天)
  LCP ───────────────── <1%(高端软板)

环氧是绝对的"地基树脂",AI高速CCL的"高Df"问题正是从环氧系向PPO/MPI迁移。

环氧树脂的Df瓶颈

AI SerDes速率与树脂选择:

  56G  SerDes  → Df ≤ 0.012  → 高Tg环氧勉强够用
  112G SerDes  → Df ≤ 0.005  → 纯环氧已不达标 → 改性环氧
  224G SerDes  → Df ≤ 0.002  → 环氧完全退出 → 改性[PPO](/wiki/ppo/)/[MPI](/wiki/mpi/)
  448G SerDes  → Df ≤ 0.0015 → PTFE/LCP/光互联

  结论:环氧树脂是224G [SerDes](/wiki/serdes/)的**结构性天花板**。

环氧分子中羟基(-OH)极性高,在高频电场中偶极弛豫是Df难以下降的根因。

改性路径(环氧 → 高速树脂)

改性方式 目标 典型产物
引入PPO链段 降低极性 环氧-**PPO**共混/共聚
引入PI结构 提升Tg + 降Df MPI
引入BMI 提升Tg BMI/环氧
引入氰酸酯 极低Df CE/EP(三嗪环)
引入苯并恶嗪 接近MPI 苯并恶嗪/EP
引入含氟结构 降Df 氟化环氧
引入低极性骨架 降Df 萘型/联苯型环氧

"改性环氧"在CCL行业是个模糊大类,从BMI改性到**PPO**合金到MPI型都可能叫"改性环氧"。严格区分需看分子结构。

关键性能指标(CCL行业标准)

指标 范围 说明
环氧当量(EEW, g/eq) 180-500 决定固化交联密度
粘度(25°C, mPa·s) 5000-15000 决定浸渍工艺
溴含量(溴化环氧) 18-22% 决定阻燃等级
Tg(DSC) 130-200°C 见子类
Dk/Df 见子类 频率1GHz
吸水率 0.1-0.3% 影响Dk/Df稳定性
凝胶时间(GT, 171°C) 100-300s 决定压合工艺窗口

在CCL中的作用

[覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/) 五大功能材料中,环氧树脂的位子:

  [铜箔](/wiki/copper-foil/)(导电)
    + **环氧树脂** ← 绝缘+粘结(占CCL 50-70% 体积)
      + [电子级玻璃纤维布](/wiki/electronic-gradeglass-fabric/) / [NE-Glass](/wiki/ne-glass/) / [PTFE纤维布](/wiki/ptfe-fiber-fabric/)(增强)
        + 环氧树脂
          + [铜箔](/wiki/copper-foil/)
            → [FR-4](/wiki/fr-4/) / 高速CCL / [粘结片](/wiki/prepreg/)

环氧的粘结功能让铜箔-玻纤-铜箔的层压结构成为可能;其绝缘性让信号在层间不串扰。

与PCB制造工艺的兼容性

环氧树脂在压合/钻孔/电镀中的优势:

  • 热压工艺窗口宽:固化温度150-180°C,压力300-400 psi
  • 钻孔质量好:Tg以上呈橡胶态但不软塌,钻屑易排
  • 电镀兼容:Tg以下树脂溶胀可控
  • 激光加工友好:UV/CO₂激光对环氧解理清晰

这是PPO/MPI等高端树脂难以完全替代环氧的关键原因——它们Df低但工艺窗口窄、成本高、钻孔难。AI服务器主板实际是"PPO/MPI芯层 + 环氧外层"的混压结构

核心关系

代表厂商:陶氏(Dow)、Olin Corporation、Hexion、南亚环氧、宏昌电子、惠柏新材、圣泉集团

关键问答

环氧树脂 与「- **环氧树脂**」的关系是什么?
- **环氧树脂** → 通过改性(BMI/PPO/PI/CE)→ [PPO](/wiki/ppo/) / [MPI](/wiki/mpi/) / BT / 氰酸酯体系。
环氧树脂 与「- **环氧树脂** Df瓶颈」的关系是什么?
- **环氧树脂** Df瓶颈 → 推动[低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/)覆铜板向[PPO](/wiki/ppo/)/[MPI](/wiki/mpi/)迁移。
环氧树脂 与「- **环氧树脂** + [电子级玻璃纤维布](」的关系是什么?
- **环氧树脂** + [电子级玻璃纤维布](/wiki/electronic-gradeglass-fabric/) / [NE-Glass](/wiki/ne-glass/) → [FR-4](/wiki/fr-4/) / 高速CCL。

玻璃基板

以玻璃(通常是低CTE无碱玻璃)作为核心介质的下一代封装基板,被视为ABF有机载板的潜在替代方案。

原材料别名:G、l

低介电损耗

材料在高频电场中能量损耗程度的指标,是AI高速信号材料的关键参数。

原材料别名:L、o

低膨胀

材料热膨胀系数(CTE)低的特性,对AI芯片封装可靠性至关重要。

原材料别名:L、o

电子级玻璃纤维布

覆铜板(CCL)的骨架增强材料,由玻璃纤维纱编织而成。

原材料别名:E、-

封装基板

承载IC芯片的刚性基板,介于芯片和PCB之间。

原材料别名:I、C

覆铜板

覆铜板是制造PCB的基础材料,由铜箔和绝缘层压合而成。

原材料别名:C、L

硅片

**硅片** 是**半导体集成电路与功率器件制造的基础材料**,由高纯度单晶硅棒(多晶硅提纯 → 单晶生长 → 切片 → 研磨 → 抛光 → 清洗)加工而成,是几乎所有芯片(逻辑/存储/功率/模拟/传感器)的物理载体。硅片按尺寸分 **6 寸(150mm)/ 8 寸(200mm)/ 12 寸(300mm)**,按类…

原材料别名:硅片、半导体硅片

铜箔

覆铜板(CCL)的导电层,由电解或压延方式生产。

原材料别名:C、o