NAND
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别名：NAND Flash
NAND Flash，非易失性闪存存储介质，是SSD和存储设备的核心存储介质。
NAND
NAND Flash，非易失性闪存存储介质，是SSD和存储设备的核心存储介质。
核心类型
SLC（Single-Level Cell）
- 每单元1bit
- 性能最高，耐久度最高（10万次擦写）
- 成本最高
- 适用：工业级/写入密集场景
MLC（Multi-Level Cell）
- 每单元2bit
- 性能/成本/耐久度平衡
- 逐渐被TLC取代
- 适用：入门企业级
TLC（Triple-Level Cell）
- 每单元3bit
- 成本大幅降低，耐久度较低（3000次擦写）
- 目前主流消费级
- 适用：一般存储
QLC（Quad-Level Cell）
- 每单元4bit
- 容量最大，成本最低
- 耐久度较低（1000次擦写）
- 适用：大容量存储场景
PLC（Pent-Level Cell）
- 每单元5bit
- 正在发展中
- 容量进一步提升
关键参数
| 参数 | 说明 |
|---|---|
| 层数（Layer） | 3D NAND层数（64L/128L/176L/232L+） |
| Interface | SATA/PCIe（NVMe） |
| 裸容量 | 单Die容量（256Gb/512Gb/1Tb） |
3D NAND演进
技术路线
├── 64层/96层：早期3D
├── 128层/176层：当前主流
├── 232层+：最新量产
└── 500层+：规划中（CFI）
在SSD中的位置
eSSD/PCIe SSD/SATA SSD
└── NAND Flash（存储介质）
├── NAND Die × N
├── [主控芯片](/wiki/controller-chip/)（控制和数据读写）
├── DRAM/DRAMless（缓存）
└── FW（固件）
关键厂商
- 三星（Samsung）：V-NAND
- 西部数据（WD）：BiCS
- SK海力士（SK Hynix）：V4 4D NAND
- 美光（Micron）：NAND
- 铠侠（Kioxia）：BICS
- Solidigm（Solidigm）：144L QLC
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