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EML

光互联4 分钟阅读

别名:E、l、e、c、t、r、o、-、A、b、s、p、i、n、 、M、d、u、a、L、,、电吸收调制激光器

电吸收调制激光器,由DFB激光器与电吸收(EA)调制器集成,是单模长距光模块的核心光源。 截至 2026-04,EML 是长距场景最成熟、应用最广的技术。性能稳定。但在1.6T这种极高速度时,它的功耗和成本压力会变大。 EML是当下的中流砥柱,硅光是降本增效的利器,薄膜铌酸锂是未来的性能高峰。

EML(电吸收调制激光器)

电吸收调制激光器,由DFB激光器与电吸收(EA)调制器集成,是单模长距光模块的核心光源。 截至 2026-04,EML 是长距场景最成熟、应用最广的技术。性能稳定。但在1.6T这种极高速度时,它的功耗和成本压力会变大。 EML是当下的中流砥柱,硅光是降本增效的利器,薄膜铌酸锂是未来的性能高峰。

EML的结构与原理

EML结构示意:
┌─────────────────────────────────────┐
│  DFB激光器部分(Direct DFB Laser)    │
│    ├── InP衬底                      │
│    ├── 多量子阱有源区                │
│    └── 波长:1310nm/1550nm          │
├─────────────────────────────────────┤
│  EA调制器部分(Electro-Absorption)  │
│    ├── 多量子阱调制器                │
│    ├── 反向偏压控制                  │
│    └── 高速调制(25G/50G/100G)      │
└─────────────────────────────────────┘

EML = DFB + EA调制器(单片集成)
  └── 区别于DFB:DFB直接调制,EML外调制(更高速率)

EML vs VCSEL 对比

特性 EML VCSEL
材料 InP(磷化铟) GaAs(砷化镓)
波长 1310nm/1550nm(单模) 850nm(多模)
应用距离 500m-10km(单模) ≤100m(多模)
光纤类型 SMF(单模光纤) MMF(多模光纤)
调制方式 电吸收外调制(高速率) 直接调制
典型应用 DR8/LR8/FR8(800G单模) SR8(800G多模)
成本 较高(InP工艺) 较低(GaAs工艺)

EML在AI数据中心的应用

AI集群叶脊互联(单模长距方案):
┌────────────────────────────────────────┐
│  GPU服务器 → Leaf交换机 → Spine交换机  │
└────────────────────────────────────────┘
      ↓                    ↓
  DR8/FR8(EML单模)    DR8/LR8(EML单模)
      ↓                    ↓
  距离:2km/10km        距离:10km+

800G DR8 光模块(EML方案):
  ├── 8×100G PAM4 = 800G总速率
  ├── 波长:1310nm(SMF单模)
  ├── 距离:≤2km
  └── 典型应用:AI集群Leaf-Spine互联

800G LR8 光模块(EML方案):
  ├── 8×100G PAM4 = 800G总速率
  ├── 波长:1310nm(SMF单模)
  ├── 距离:≤10km
  └── 典型应用:AI集群间DCI互联

EML产业链关键厂商

EML全球主要供应商:
├── II-VI/Coherent(美国)—— InP光芯片全球领先
├── Lumentum(美国)—— 激光器+调制器
├── 三安光电(中国)—— 国内InP光芯片
├── 仕佳光子(中国)—— PLC芯片扩展
└── 其他:Neo(韩国)、Quantcomm(台湾)

EML vs VCSEL 市场格局:
  ├── VCSEL:GaAs工艺,厂商相对集中(II-VI、Trumpf等)
  └── EML:InP工艺,Coherent/Lumentum双寡头

核心关系

[光芯片](/wiki/optical-chip/) → [EML](/wiki/eml/)(单模长距光模块核心)

[EML](/wiki/eml/) → [有源器件](/wiki/active-component/)(是光芯片,属于有源发射器件)
[EML](/wiki/eml/) → [800G](/wiki/800g/) DR8/LR8(EML主力应用场景)
[EML](/wiki/eml/) → [1.6T](/wiki/1-6t/) DR16/LR16(下一代EML方案)
[EML](/wiki/eml/) → [相干](/wiki/coherent-optics/)(相干光模块的光源)

EML材料体系:InP(磷化铟)
  └── 不同于VCSEL的GaAs(砷化镓)材料体系
  └── 与DFB同材料体系,但EML集成调制器

EML制造成本:高于VCSEL(InP晶圆较小,6英寸)

关键参数

  • 发射波长:1310nm(SMF)/ 1550nm(SMF)
  • 调制速率:25G/50G/100G PAM4
  • 输出功率:+1~+5dBm
  • 消光比:>4dB(EML调制指标)
  • 工作温度:-40°C ~ +85°C
  • 单模光纤兼容:SMF(1310nm/1550nm)
  • 典型应用:DR8(2km)/ LR8(10km)/ FR8(2km)

1.6T

1.6Tbps速率的光模块,下一代AI数据中心光互联目标。

光互联别名:1、.

800G

800Gbps速率的光模块,是当前AI数据中心的主流升级目标。

光互联别名:8、0

薄膜铌酸锂

一种新型的光电调制器材料。响应速度极快,损耗极低。如果说EML是高速路,那TFLN是磁悬浮。被认为是1.6T甚至是3.2T时代的最优解,但截至 2026-04,工艺难度大、成本高。

光互联别名:TFLN

调制器

## 基本信息

光互联别名:光调制器

光连接

光模块之间通过光纤实现的物理连接,是光网络的基础设施。

光互联别名:O、p

光零组件

光模块中介于光芯片与成品光模块之间的中间组件,是光器件的核心光学功能单元。

光互联别名:O、p

光模块MCU

**光模块内置的微控制器**,是光模块的"嵌入式大脑"——负责数字诊断(DOM/DDM)、I²C 主机通信、激光器/温度/电压监控、固件存储、CDR 旁路控制、CMIS 协议栈等所有模块管理功能。每一颗可插拔光模块内都有一颗 MCU。

光互联别名:Optical Module MCU、模块MCU

光器件

包含光芯片、驱动电路、外壳的光模块组件,是光连接的基本单元。

光互联别名:O、p