光芯片

2026-08-17属光互联层3 分钟阅读

别名：O、p、t、i、c、a、l、、C、h、,、P、o、n、L、s、e、r、光芯片

实现光电信号转换的核心芯片，是光器件的基础。

光芯片（Optical Chip）

实现光电信号转换的核心芯片，是光器件的基础。

光芯片类型

类型	材料	应用场景
VCSEL	GaAs	数据中心短距（≤100m），多模光纤
DFB/EML	InP	电信/长距光模块
硅光芯片	Si（CMOS兼容）	高速光模块、CPO共封装
磷化铟	InP	高速探测器

核心功能：光电转换

光模块信号链路：
  电信号（SerDes）
    └── [光芯片](/wiki/optical-chip/)
          ├── 发光侧：Driver IC → [光芯片](/wiki/optical-chip/)（VCSEL/EML）→ 光信号
          └── 收光侧：光信号 → [光芯片](/wiki/optical-chip/)（PIN/APD）→ TIA → 电信号

[光芯片](/wiki/optical-chip/) = 激光器（发送）+ 探测器（接收）

硅光芯片：趋势方向

传统光模块：分立器件（InP激光器+硅光学件）
  └── 成本高、耦合复杂

硅光芯片：CMOS工艺单片集成
  ├── 调制器（硅基）
  ├── 探测器（GeSi）
  ├── 波导（硅基）
  └── 优势：集成度高、成本低、批量生产

[CPO](/wiki/cpo/) → 硅光芯片是核心技术

AI数据中心对光芯片的需求

AI集群网络带宽升级：
  └── 800G光模块 → [1.6T](/wiki/1-6t/)光模块
        ├── 需要更高速率光芯片（100Gbaud→200Gbaud）
        ├── 需要更高密度（相干DSP→直接检测）
        └── 需要更低功耗（每100G<1.5W）

光芯片技术演进：
  ├── 10G → 25G → 50G per wavelength
  ├── 4 wavelength → 8 wavelength（提高总带宽）
  └── 56Gbaud PAM4 → 112Gbaud PAM4

产业链关系

光芯片（III-V族/硅光）
  ├── VCSEL → [光器件](/wiki/optical-component/)（多模光模块）
  ├── EML/DFB → [光器件](/wiki/optical-component/)（单模光模块）
  └── 硅光 → [CPO](/wiki/cpo/)共封装（交换芯片+光引擎）

[光芯片](/wiki/optical-chip/) → [光器件](/wiki/optical-component/) → 光模块（800G/1.6T）→ [光连接](/wiki/optical-connection/) → [交换机](/wiki/network-switch/)