磷化铟
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别名：InP、磷化铟
## 基本信息
磷化铟 (InP)
基本信息
| 属性 | 值 |
|---|---|
| 化学式 | InP |
| 类型 | III-V族化合物半导体 |
| 晶格常数 | 5.87 Å |
| 带隙 | 1.35 eV (直接带隙) |
| 折射率 | ~3.1 |
在AI光通信中的应用
核心应用：EML激光器
磷化铟是EML（电吸收调制激光器）的基底材料：
- 1310nm/1550nm长距单模光通信
- 50GHz/70GHz调制带宽
- 224G/448Gbaud PAM4支持
InP vs GaAs vs SiPh
| 材料 | 典型应用 | 波长 | 优势 | 劣势 |
|---|---|---|---|---|
| 磷化铟 (InP) | EML | 1310/1550nm | 长距高速 | 成本高，CMOS不兼容 |
| VCSEL (GaAs) | VCSEL | 850nm | 短距低成本 | 短波，高速受限 |
| SiPh | 硅光 | 1310/1550nm | CMOS兼容，成本低 | 硅光调制器效率低 |
AI网络升级路径中的InP
AI集群 → 400G/[800G](/wiki/800g/)/[1.6T](/wiki/1-6t/)光模块
├── 短距（<100m）→ [VCSEL](/wiki/vcsel/)（GaAs）
├── 中距（500m-10km）→ [EML](/wiki/eml/)（InP，磷化铟基底）
└── 长距（>10km）→ 相干（InP光子集成）
224Gbaud时代 → InP EML需求增长
└── 磷化铟晶圆供应紧张
产业链关键厂商
- IQE — GaAs/InP外延片
- Sumitomo — InP晶圆
- VPEC — InP晶圆
- 贰陆 — Lumentum/InP外延
相关条目
关键问答
- 磷化铟 与「── 短距（<100m）」的关系是什么？
- ── 短距（<100m） → [VCSEL](/wiki/vcsel/)（GaAs）。
- 磷化铟 与「── 中距（500m-10km）」的关系是什么？
- ── 中距（500m-10km） → [EML](/wiki/eml/)（InP，磷化铟基底）。
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